Resumen
En este trabajo se crecieron distintas películas delgadas del tipo Ba0.90La0.067Ti0.91Zr0.09O3 (BLZT)
por la técnica de magnetron sputtering de radio-frecuencia (RF) a alta presión de O2 con una temperatura de substrato de 600°C. La estructura cristalina de las películas se analizó mediante difracción de rayos-X mostrando los máximos de difracción correspondientes a una orientación preferencial en la dirección (00l) para el BLZT. Por microscopía de fuerza atómica se evidenció el crecimiento de películas homogéneas con un valor de rugosidad promedio de 4.25 Å para el sustrato de SrTiO3.Nb y de 12.3 Å para el sustrato de Pt/TiO2/SiO2/Si. Para la caracterización ferroeléctrica se utilizaron estructuras de capacitor con Ag como electrodo superior y el respectivo substrato como elecrodo inferior. Mediante el sistema de la Radiant Technologies RT66A se obtuvieron curvas
de histéresis de polarización- campo eléctrico (P-E) para los distintos capacitores. Los resultados mostraron que las películas delgadas de BLZT presentan un comportamiento ferroeléctrico.
por la técnica de magnetron sputtering de radio-frecuencia (RF) a alta presión de O2 con una temperatura de substrato de 600°C. La estructura cristalina de las películas se analizó mediante difracción de rayos-X mostrando los máximos de difracción correspondientes a una orientación preferencial en la dirección (00l) para el BLZT. Por microscopía de fuerza atómica se evidenció el crecimiento de películas homogéneas con un valor de rugosidad promedio de 4.25 Å para el sustrato de SrTiO3.Nb y de 12.3 Å para el sustrato de Pt/TiO2/SiO2/Si. Para la caracterización ferroeléctrica se utilizaron estructuras de capacitor con Ag como electrodo superior y el respectivo substrato como elecrodo inferior. Mediante el sistema de la Radiant Technologies RT66A se obtuvieron curvas
de histéresis de polarización- campo eléctrico (P-E) para los distintos capacitores. Los resultados mostraron que las películas delgadas de BLZT presentan un comportamiento ferroeléctrico.
Idioma original | Español (Colombia) |
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Páginas (desde-hasta) | 1114-1117 |
Número de páginas | 4 |
Publicación | Revista De La Academia Colombiana De Ciencias Exactas, Físicas Y Naturales |
Volumen | 38 |
N.º | 3 |
Estado | Publicada - 4 oct 2006 |