Low interface states and high dielectric constant Y2O3 films on Si substrates: 1873-1877

Resultado de la investigación: Contribución a una revistaArtículo

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)1873
Número de páginas1877
PublicaciónJournal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
Volumen24
N.º4
EstadoPublicada - 2006

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