Histerésis Ferroeléctrica en Estructuras Capacitivas de Películas Delgadas de YMnO3.

Resultado de la investigación: Contribución a una revistaArtículo

Resumen

Crecimos películas delgadas de la fase hexagonal del sistema YMnO3 sobre substratos de Pt/TiO2/SiO2/Si(100), por el método de pulverización catódica sputtering rf (13.6 MHz) en atmósfera de oxigeno, a una temperatura de sustrato de 850 °C. Estudiamos morfológicamente la superficie por medio de microscopia de fuerza atómica (AFM) a partir del cual se calculó el tamaño de grano de 4.1 ± 0.5 nm y una rugosidad de 181 ± 3 nm. También a través de difracción de rayos x (XRD) se confirmó el crecimiento de la fase hexagonal YMnO3. Las capas crecidas mostraron comportamiento histerético en las curvas de polarización en función de campo eléctrico aplicado, medidas en estructura capacitiva Ag/YMnO3/Pt/TiO2/SiO2/Si(100). Se obtuvieron valores de polarización de saturación de 4,17 µC/cm², campo coercitivo de -2,69 KV/cm indicando la naturaleza ferroeléctrica del sistema YMnO3 en forma de película delgada. [
Idioma originalEspañol (Colombia)
Páginas (desde-hasta)81-83
Número de páginas3
PublicaciónRevista De La Academia Colombiana De Ciencias Exactas, Físicas Y Naturales
EstadoPublicada - 2008

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