EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3

Gilberto Alacón Florez; Miguel Angel Aguilar Frutis; Ciro Falcony; José Guzmán Mendoza; José de Jesús Araiza Ibarra; M. Garcia Hipolito

EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3

Gilberto Alacón Florez, Miguel Angel Aguilar Frutis, Ciro Falcony, José Guzmán Mendoza, José de Jesús Araiza Ibarra, M. Garcia Hipolito

Facultad de Ciencias Naturales y Matemáticas

Resultado de la investigación: Capítulo del libro/informe/acta de congreso › Capítulo › revisión exhaustiva

Resumen

En este trabajo se reporta el efecto que ocasiona la adición de un vapor de H2O y/o de NH4OH en las propiedades eléctricas de las películas delgadas de Y2O3. El Y2O3 se obtuvo por la técnica de Rocío Pirolítico Ultrasónico sobre sustratos de Si (100) a temperatura de 400, 450, 500 y 550 °C. Como reactivos fuente se utilizaron al Y(acac)3 disuelto en N, N-DMF a una concentración 0.03M. Medidas de corriente y capacitancia contra voltaje (I-V, C-V) fueron realizadas en estructuras de tipo Metal-Óxido-Semiconductor (MOS), formadas con las películas depositadas. Las películas presentan constantes dieléctricas de hasta 15. Las películas depositadas con la adición de H2O pueden soportar campos eléctricos cercanos a 2MV/cm. La densidad de estados de interfaz a la mitad del bandgap fue medida a partir de las curvas de capacitancia en alta y baja frecuencia, encontrándose valores en el rango de 10^10-10^11 cm^-2 eV^-1.

Idioma original	Español (Colombia)
Título de la publicación alojada	Efectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico
Lugar de publicación	Zacatecas
Páginas	1
Número de páginas	7
Volumen	MX0500403
Estado	Publicada - 7 sep 2005

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Gilberto Alacón Florez, Miguel Angel Aguilar Frutis, Ciro Falcony, José Guzmán Mendoza, José de Jesús Araiza Ibarra, & M. Garcia Hipolito (2005). EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3. En Efectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico (Vol. MX0500403, pp. 1).

Gilberto Alacón Florez ; Miguel Angel Aguilar Frutis ; Ciro Falcony ; José Guzmán Mendoza ; José de Jesús Araiza Ibarra ; M. Garcia Hipolito. / EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3. Efectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico. Vol. MX0500403 Zacatecas, 2005. pp. 1

@inbook{6640ee2c266349e4a1755595d8345fc9,

title = "EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3",

abstract = "En este trabajo se reporta el efecto que ocasiona la adici{\'o}n de un vapor de H2O y/o de NH4OH en las propiedades el{\'e}ctricas de las pel{\'i}culas delgadas de Y2O3. El Y2O3 se obtuvo por la t{\'e}cnica de Roc{\'i}o Pirol{\'i}tico Ultras{\'o}nico sobre sustratos de Si (100) a temperatura de 400, 450, 500 y 550 °C. Como reactivos fuente se utilizaron al Y(acac)3 disuelto en N, N-DMF a una concentraci{\'o}n 0.03M. Medidas de corriente y capacitancia contra voltaje (I-V, C-V) fueron realizadas en estructuras de tipo Metal-{\'O}xido-Semiconductor (MOS), formadas con las pel{\'i}culas depositadas. Las pel{\'i}culas presentan constantes diel{\'e}ctricas de hasta 15. Las pel{\'i}culas depositadas con la adici{\'o}n de H2O pueden soportar campos el{\'e}ctricos cercanos a 2MV/cm. La densidad de estados de interfaz a la mitad del bandgap fue medida a partir de las curvas de capacitancia en alta y baja frecuencia, encontr{\'a}ndose valores en el rango de 10^10-10^11 cm^-2 eV^-1.",

author = "{Gilberto Alac{\'o}n Florez} and {Miguel Angel Aguilar Frutis} and {Ciro Falcony} and {Jos{\'e} Guzm{\'a}n Mendoza} and {Jos{\'e} de Jes{\'u}s Araiza Ibarra} and {M. Garcia Hipolito} and {Herrera Su{\'a}rez}, {Hern{\'a}n Javier}",

year = "2005",

month = sep,

day = "7",

language = "Espa{\~n}ol (Colombia)",

volume = "MX0500403",

pages = "1",

booktitle = "Efectos de la Adici{\'o}n de H2O y NH4OH en las Propiedades El{\'e}ctricas de Pel{\'i}culas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Roc{\'i}o Pirol{\'i}tico",

}

Gilberto Alacón Florez, Miguel Angel Aguilar Frutis, Ciro Falcony, José Guzmán Mendoza, José de Jesús Araiza Ibarra & M. Garcia Hipolito 2005, EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3. En Efectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico. vol. MX0500403, Zacatecas, pp. 1.

EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3. / Gilberto Alacón Florez; Miguel Angel Aguilar Frutis; Ciro Falcony; José Guzmán Mendoza; José de Jesús Araiza Ibarra; M. Garcia Hipolito.

Efectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico. Vol. MX0500403 Zacatecas, 2005. p. 1.

Resultado de la investigación: Capítulo del libro/informe/acta de congreso › Capítulo › revisión exhaustiva

TY - CHAP

T1 - EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3

AU - Gilberto Alacón Florez

AU - Miguel Angel Aguilar Frutis

AU - Ciro Falcony

AU - José Guzmán Mendoza

AU - José de Jesús Araiza Ibarra

AU - M. Garcia Hipolito

AU - Herrera Suárez, Hernán Javier

PY - 2005/9/7

Y1 - 2005/9/7

N2 - En este trabajo se reporta el efecto que ocasiona la adición de un vapor de H2O y/o de NH4OH en las propiedades eléctricas de las películas delgadas de Y2O3. El Y2O3 se obtuvo por la técnica de Rocío Pirolítico Ultrasónico sobre sustratos de Si (100) a temperatura de 400, 450, 500 y 550 °C. Como reactivos fuente se utilizaron al Y(acac)3 disuelto en N, N-DMF a una concentración 0.03M. Medidas de corriente y capacitancia contra voltaje (I-V, C-V) fueron realizadas en estructuras de tipo Metal-Óxido-Semiconductor (MOS), formadas con las películas depositadas. Las películas presentan constantes dieléctricas de hasta 15. Las películas depositadas con la adición de H2O pueden soportar campos eléctricos cercanos a 2MV/cm. La densidad de estados de interfaz a la mitad del bandgap fue medida a partir de las curvas de capacitancia en alta y baja frecuencia, encontrándose valores en el rango de 10^10-10^11 cm^-2 eV^-1.

AB - En este trabajo se reporta el efecto que ocasiona la adición de un vapor de H2O y/o de NH4OH en las propiedades eléctricas de las películas delgadas de Y2O3. El Y2O3 se obtuvo por la técnica de Rocío Pirolítico Ultrasónico sobre sustratos de Si (100) a temperatura de 400, 450, 500 y 550 °C. Como reactivos fuente se utilizaron al Y(acac)3 disuelto en N, N-DMF a una concentración 0.03M. Medidas de corriente y capacitancia contra voltaje (I-V, C-V) fueron realizadas en estructuras de tipo Metal-Óxido-Semiconductor (MOS), formadas con las películas depositadas. Las películas presentan constantes dieléctricas de hasta 15. Las películas depositadas con la adición de H2O pueden soportar campos eléctricos cercanos a 2MV/cm. La densidad de estados de interfaz a la mitad del bandgap fue medida a partir de las curvas de capacitancia en alta y baja frecuencia, encontrándose valores en el rango de 10^10-10^11 cm^-2 eV^-1.

M3 - Capítulo

VL - MX0500403

SP - 1

BT - Efectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico

CY - Zacatecas

ER -

Gilberto Alacón Florez, Miguel Angel Aguilar Frutis, Ciro Falcony, José Guzmán Mendoza, José de Jesús Araiza Ibarra, M. Garcia Hipolito. EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3. En Efectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico. Vol. MX0500403. Zacatecas. 2005. p. 1