Resumen
En este trabajo se reporta el efecto que ocasiona la adición de un vapor de H2O y/o de NH4OH en las propiedades eléctricas de las películas delgadas de Y2O3. El Y2O3 se obtuvo por la técnica de Rocío Pirolítico Ultrasónico sobre sustratos de Si (100) a temperatura de 400, 450, 500 y 550 °C. Como reactivos fuente se utilizaron al Y(acac)3 disuelto en N, N-DMF a una concentración 0.03M. Medidas de corriente y capacitancia contra voltaje (I-V, C-V) fueron realizadas en estructuras de tipo Metal-Óxido-Semiconductor (MOS), formadas con las películas depositadas. Las películas presentan constantes dieléctricas de hasta 15. Las películas depositadas con la adición de H2O pueden soportar campos eléctricos cercanos a 2MV/cm. La densidad de estados de interfaz a la mitad del bandgap fue medida a partir de las curvas de capacitancia en alta y baja frecuencia, encontrándose valores en el rango de 10^10-10^11 cm^-2 eV^-1.
| Idioma original | Español (Colombia) |
|---|---|
| Título de la publicación alojada | Efectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico |
| Lugar de publicación | Zacatecas |
| Páginas | 1 |
| Número de páginas | 7 |
| Volumen | MX0500403 |
| Estado | Publicada - 7 sep 2005 |
Citar esto
Gilberto Alacón Florez, Miguel Angel Aguilar Frutis, Ciro Falcony, José Guzmán Mendoza, José de Jesús Araiza Ibarra, & M. Garcia Hipolito (2005). EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3. En Efectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico (Vol. MX0500403, pp. 1).