EFECTO DE LA ADICION DE H2O Y NH4OH EN LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS DE Y2O3

Gilberto Alacón Florez, Miguel Angel Aguilar Frutis, Ciro Falcony, José Guzmán Mendoza, José de Jesús Araiza Ibarra, M. Garcia Hipolito

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Abstract

En este trabajo se reporta el efecto que ocasiona la adición de un vapor de H2O y/o de NH4OH en las propiedades eléctricas de las películas delgadas de Y2O3. El Y2O3 se obtuvo por la técnica de Rocío Pirolítico Ultrasónico sobre sustratos de Si (100) a temperatura de 400, 450, 500 y 550 °C. Como reactivos fuente se utilizaron al Y(acac)3 disuelto en N, N-DMF a una concentración 0.03M. Medidas de corriente y capacitancia contra voltaje (I-V, C-V) fueron realizadas en estructuras de tipo Metal-Óxido-Semiconductor (MOS), formadas con las películas depositadas. Las películas presentan constantes dieléctricas de hasta 15. Las películas depositadas con la adición de H2O pueden soportar campos eléctricos cercanos a 2MV/cm. La densidad de estados de interfaz a la mitad del bandgap fue medida a partir de las curvas de capacitancia en alta y baja frecuencia, encontrándose valores en el rango de 10^10-10^11 cm^-2 eV^-1.
Original languageSpanish (Colombia)
Title of host publicationEfectos de la Adición de H2O y NH4OH en las Propiedades Eléctricas de Películas Delgadas de Y2O3 Depositadas por Rocío Pirolítico
Place of PublicationZacatecas
Pages1
Number of pages7
VolumeMX0500403
StatePublished - 7 Sep 2005

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